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PS7160-2A,PS7160L-2A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Diode
MOS FET
Forward Voltage
Reverse Current
Off-state Leakage
V F
I R
I Loff
I F = 10 mA
V R = 5 V
V D = 600 V
1.2
0.03
1.4
5.0
1.0
V
μ A
μ A
Current
Output Capacitance
C out
V D = 0 V, f = 1 MHz
110
pF/ch
Coupled
LED On-state Current
I Fon
I L = 90 mA
2.0
mA
On-state Resistance
R on1
R on2
I F = 10 mA, I L = 10 mA
I F = 10 mA, I L = 90 mA, t ≤ 10 ms
42
33
50
50
?
Turn-on Time
Turn-off Time
*1, 2
*1, 2
t on
t off
I F = 10 mA, V O = 5 V, R L = 500 ? ,
PW ≥ 10 ms
0.8
0.06
1.5
0.2
ms
Isolation Resistance
Isolation Capacitance
R I-O
C I-O
V I-O = 1.0 kV DC
V = 0 V, f = 1 MHz
10
9
1.1
?
pF/ch
*1 Test Circuit for Switching Time
I F
Pulse Input
V L
Input
50 %
0
Input monitor
V O monitor
V O = 5 V
90 %
Output
R in
R L
t on
t off
10 %
<R>
*2 The turn-on time and turn-off time are specified as input-pulse width ≥ 10 ms.
Be aware that when the device operates with an input-pulse width less than 10 ms, the turn-on time and turn-off
time will increase.
Data Sheet PN10290EJ02V0DS
5
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